ELM56801EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ELM56801EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 36 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 223 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ELM56801EA

ELM56801EA Datasheet (PDF)

..1. Size:1223K elm
elm56801ea.pdf

Dual P-channel MOSFETELM56801EA-SGeneral description Features ELM56801EA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.2A, Rds(on)=100m (Vgs=-4.5V)resistance. Id=-2.6A, Rds(on)=135m (Vgs=-2.5V) Id=-1.5A, Rds(on)=190m (Vgs=-1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-sou

7.1. Size:1274K elm
elm56800ea.pdf

Dual N-channel MOSFETELM56800EA-SGeneral description Features ELM56800EA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6A resistance. Rds(on) = 70m (Vgs=10V) Rds(on) = 78m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 95m (Vgs=2.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 30

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Liste

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