Справочник MOSFET. ELM56801EA

 

ELM56801EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ELM56801EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26
 

 Аналог (замена) для ELM56801EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM56801EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1223K  elm
 elm56801ea.pdf pdf_icon

ELM56801EA

Dual P-channel MOSFETELM56801EA-SGeneral description Features ELM56801EA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.2A, Rds(on)=100m (Vgs=-4.5V)resistance. Id=-2.6A, Rds(on)=135m (Vgs=-2.5V) Id=-1.5A, Rds(on)=190m (Vgs=-1.8V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-sou

 7.1. Size:1274K  elm
 elm56800ea.pdf pdf_icon

ELM56801EA

Dual N-channel MOSFETELM56800EA-SGeneral description Features ELM56800EA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6A resistance. Rds(on) = 70m (Vgs=10V) Rds(on) = 78m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 95m (Vgs=2.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 30

Другие MOSFET... ELM53405CA-S , ELM53406CA , ELM544539A , ELM544599A , ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , 10N60 , ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , ELM588822A-S , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA .

History: MT06N020A | PHP79NQ08LT | SM7A25NSU | ELM3C1350A | LSD65R180GT | SI4712DY | OSG60R360DZF

 

 
Back to Top

 


 
.