ELM56801EA - описание и поиск аналогов

 

ELM56801EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ELM56801EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для ELM56801EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM56801EA даташит

 ..1. Size:1223K  elm
 elm56801ea.pdf pdf_icon

ELM56801EA

Dual P-channel MOSFET ELM56801EA-S General description Features ELM56801EA-S uses advanced trench technology to Vds=-20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3.2A, Rds(on)=100m (Vgs=-4.5V) resistance. Id=-2.6A, Rds(on)=135m (Vgs=-2.5V) Id=-1.5A, Rds(on)=190m (Vgs=-1.8V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limit Unit Drain-sou

 7.1. Size:1274K  elm
 elm56800ea.pdf pdf_icon

ELM56801EA

Dual N-channel MOSFET ELM56800EA-S General description Features ELM56800EA-S uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=3.6A resistance. Rds(on) = 70m (Vgs=10V) Rds(on) = 78m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 95m (Vgs=2.5V) Maximum absolute ratings Parameter Symbol Limit Unit Drain-source voltage Vds 30

Другие MOSFET... ELM53405CA-S , ELM53406CA , ELM544539A , ELM544599A , ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , IRFP260N , ELM57800GA , ELM57801GA , ELM58822SA , ELM588822A-S , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA .

History: SK2302AA | H2N60U | AP25N170I

 

 

 

 

↑ Back to Top
.