ELM57801GA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM57801GA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Encapsulados: SC-70-6
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ELM57801GA datasheet
elm57801ga.pdf
Dual P-channel MOSFET ELM57801GA-S General description Features ELM57801GA-S uses advanced trench technology to Vds=-20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-1.4A resistance. Rds(on)
elm57800ga.pdf
Dual N-channel MOSFET ELM57800GA-S General description Features ELM57800GA-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.8A resistance. Rds(on)
Otros transistores... ELM544539A , ELM544599A , ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , ELM57800GA , IRFB4227 , ELM58822SA , ELM588822A-S , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA .
History: 2SK2967 | BRCS90P03DP
History: 2SK2967 | BRCS90P03DP
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