ELM57801GA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ELM57801GA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: SC-70-6
Аналог (замена) для ELM57801GA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ELM57801GA даташит
elm57801ga.pdf
Dual P-channel MOSFET ELM57801GA-S General description Features ELM57801GA-S uses advanced trench technology to Vds=-20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-1.4A resistance. Rds(on)
elm57800ga.pdf
Dual N-channel MOSFET ELM57800GA-S General description Features ELM57800GA-S uses advanced trench technology to Vds=20V provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.8A resistance. Rds(on)
Другие MOSFET... ELM544539A , ELM544599A , ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , ELM57800GA , IRFB4227 , ELM58822SA , ELM588822A-S , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943


