ELM57801GA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ELM57801GA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: SC-70-6
ELM57801GA Datasheet (PDF)
elm57801ga.pdf

Dual P-channel MOSFETELM57801GA-SGeneral description Features ELM57801GA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-1.4Aresistance. Rds(on)
elm57800ga.pdf

Dual N-channel MOSFETELM57800GA-SGeneral description Features ELM57800GA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=1.8Aresistance. Rds(on)
Другие MOSFET... ELM544539A , ELM544599A , ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , ELM57800GA , AON6414A , ELM58822SA , ELM588822A-S , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA .
History: SM4375NSKP | S10H06RN | SML5050CN
History: SM4375NSKP | S10H06RN | SML5050CN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD | SLD80N02TB | SLD65R600E7C | SLD65R380E7C | SLD65R280E7C | SLU4N65U | SLT70R180E7C | SLT65R180E7C | SLP730S | SLP65R380E7C | SLP65R1K2E7
Popular searches
transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943