ELM5J400RA Todos los transistores

 

ELM5J400RA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ELM5J400RA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
     - Selección de transistores por parámetros

 

ELM5J400RA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1273K  elm
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ELM5J400RA

Single N-channel MOSFETELM5J400RA-SGeneral description Features ELM5J400RA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=5.6A resistance. Rds(on) = 72m (Vgs=10V) Rds(on) = 95m (Vgs=4.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 30 VGate-source voltage Vg

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: F5030 | 2SK4146-S19-AY | MEE2348-G | SWF8N65DB | SW1N55D | IRLM210A | ME2301DN

 

 
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