ELM5J400RA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ELM5J400RA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-89
Búsqueda de reemplazo de ELM5J400RA MOSFET
ELM5J400RA Datasheet (PDF)
elm5j400ra.pdf

Single N-channel MOSFETELM5J400RA-SGeneral description Features ELM5J400RA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=5.6A resistance. Rds(on) = 72m (Vgs=10V) Rds(on) = 95m (Vgs=4.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 30 VGate-source voltage Vg
Otros transistores... ELM57801GA , ELM58822SA , ELM588822A-S , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , STP75NF75 , ELM5K8471A , ELM5K8473A , EM6K1 , EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , EM6K7 .
History: BSC070N10NS5SC | RU1C002ZP | MSD2N60 | STN1NK80Z | IRFS832 | SFF24N50 | ELM16400EA
History: BSC070N10NS5SC | RU1C002ZP | MSD2N60 | STN1NK80Z | IRFS832 | SFF24N50 | ELM16400EA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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