Справочник MOSFET. ELM5J400RA

 

ELM5J400RA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ELM5J400RA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89

 Аналог (замена) для ELM5J400RA

 

 

ELM5J400RA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1273K  elm
 elm5j400ra.pdf

ELM5J400RA ELM5J400RA

Single N-channel MOSFETELM5J400RA-SGeneral description Features ELM5J400RA-S uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=5.6A resistance. Rds(on) = 72m (Vgs=10V) Rds(on) = 95m (Vgs=4.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 30 VGate-source voltage Vg

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTK82N25P

 

 
Back to Top