EM6K1 Todos los transistores

 

EM6K1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EM6K1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMT6
 

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EM6K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  rohm
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EM6K1

EM6K1 Transistor 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET EM6K1 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOS FET EMT61.6 0.51.00.5 0.5 Features (6) (5) (4)1) Two 2SK3019 transistors in a single EMT package. 1pin mark (1) (2) (3)2) The MOS FET elements are independent, eliminating 0.22 0.13mutual interference. 3) Mounting cost and area can be cut in h

Otros transistores... ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , K3569 , EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R .

History: 2SJ602-Z | STF9NK90Z | HTD090N03 | VBE2338 | STF9NM60N | BSP225 | SI7382DP

 

 
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