EM6K1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: EM6K1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET EM6K1

EM6K1 Datasheet (PDF)

..1. Size:62K rohm
em6k1.pdf

EM6K1 Transistor 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET EM6K1 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOS FET EMT61.6 0.51.00.5 0.5 Features (6) (5) (4)1) Two 2SK3019 transistors in a single EMT package. 1pin mark (1) (2) (3)2) The MOS FET elements are independent, eliminating 0.22 0.13mutual interference. 3) Mounting cost and area can be cut in h

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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