EM6K1 Todos los transistores

 

EM6K1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EM6K1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: EMT6

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EM6K1 datasheet

 ..1. Size:62K  rohm
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EM6K1

EM6K1 Transistor 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET EM6K1 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOS FET EMT6 1.6 0.5 1.0 0.5 0.5 Features (6) (5) (4) 1) Two 2SK3019 transistors in a single EMT package. 1pin mark (1) (2) (3) 2) The MOS FET elements are independent, eliminating 0.22 0.13 mutual interference. 3) Mounting cost and area can be cut in h

Otros transistores... ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , IRF9540 , EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R .

History: PSMN6R5-80BS

 

 

 

 

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