Справочник MOSFET. EM6K1

 

EM6K1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EM6K1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: EMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

EM6K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  rohm
 em6k1.pdf pdf_icon

EM6K1

EM6K1 Transistor 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET EM6K1 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOS FET EMT61.6 0.51.00.5 0.5 Features (6) (5) (4)1) Two 2SK3019 transistors in a single EMT package. 1pin mark (1) (2) (3)2) The MOS FET elements are independent, eliminating 0.22 0.13mutual interference. 3) Mounting cost and area can be cut in h

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SJ620 | SUP90N08-8M2P | NDT6N70 | FTK3401 | FHD15N10A | IPD50R280CE | SFN423P

 

 
Back to Top

 


 
.