EM6K1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: EM6K1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.12 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: EMT6
Аналог (замена) для EM6K1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
EM6K1 даташит
em6k1.pdf
EM6K1 Transistor 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET EM6K1 External dimensions (Unit mm) Structure Silicon N-channel MOS FET EMT6 1.6 0.5 1.0 0.5 0.5 Features (6) (5) (4) 1) Two 2SK3019 transistors in a single EMT package. 1pin mark (1) (2) (3) 2) The MOS FET elements are independent, eliminating 0.22 0.13 mutual interference. 3) Mounting cost and area can be cut in h
Другие MOSFET... ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , IRF9540 , EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet

