Справочник MOSFET. EM6K1

 

EM6K1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EM6K1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: EMT6
 

 Аналог (замена) для EM6K1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EM6K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  rohm
 em6k1.pdf pdf_icon

EM6K1

EM6K1 Transistor 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET EM6K1 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOS FET EMT61.6 0.51.00.5 0.5 Features (6) (5) (4)1) Two 2SK3019 transistors in a single EMT package. 1pin mark (1) (2) (3)2) The MOS FET elements are independent, eliminating 0.22 0.13mutual interference. 3) Mounting cost and area can be cut in h

Другие MOSFET... ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A , ELM5K8473A , K3569 , EM6K31 , EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R .

History: PSMN5R0-100PS | AUIRFSL8403 | HTJ600N06 | VBE1638 | PH6325L | MMQ60R115PTH

 

 
Back to Top

 


 
.