Справочник MOSFET. EM6K1

 

EM6K1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: EM6K1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: EMT6

 Аналог (замена) для EM6K1

 

 

EM6K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  rohm
 em6k1.pdf

EM6K1 EM6K1

EM6K1 Transistor 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET EM6K1 External dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOS FET EMT61.6 0.51.00.5 0.5 Features (6) (5) (4)1) Two 2SK3019 transistors in a single EMT package. 1pin mark (1) (2) (3)2) The MOS FET elements are independent, eliminating 0.22 0.13mutual interference. 3) Mounting cost and area can be cut in h

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top