EM6K31 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: EM6K31
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET EM6K31

EM6K31 Datasheet (PDF)

..1. Size:144K rohm
em6k31.pdf

2.5V Drive Nch + Nch MOSFET EM6K31 Dimensions (Unit : mm) StructureSilicon N-channel MOSFET6 5 4Features1) High speed switing.2) Small package(EMT6).3) Low voltage drive(2.5V drive).Abbreviated symbol : K31 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode T2R1Basic ordering unit (pieces) 800

9.1. Size:141K rohm
em6k34.pdf

0.9V Drive Nch + Nch MOSFET EM6K34 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET EMT6(6) (5) (4)Features1) High speed switing.(1) (2) (3)2) Small package(EMT6).3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : K34 ApplicationSwitching Inner circuit(6) (5) (4) Packaging specifications1Package TapingTypeCode T2R 2

9.2. Size:147K rohm
em6k33.pdf

1.2V Drive Nch + Nch MOSFET EM6K33 Structure Dimensions (Unit : mm)ilicon N-channel MOSFET Features 1) High speed switing. 2) Small package(EMT6). 3) Ultra low voltage drive(1.2V drive). Application Switching Abbreviated symbol : K33Packaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)TypeCode T2R1Basic order

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