EM6K31
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EM6K31
Маркировка: K31
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.12
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.25
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
trⓘ -
Время нарастания: 5
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4
Ohm
Тип корпуса: EMT6
Аналог (замена) для EM6K31
EM6K31
Datasheet (PDF)
..1. Size:144K rohm
em6k31.pdf 2.5V Drive Nch + Nch MOSFET EM6K31 Dimensions (Unit : mm) StructureSilicon N-channel MOSFET6 5 4Features1) High speed switing.2) Small package(EMT6).3) Low voltage drive(2.5V drive).Abbreviated symbol : K31 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode T2R1Basic ordering unit (pieces) 800
9.1. Size:141K rohm
em6k34.pdf 0.9V Drive Nch + Nch MOSFET EM6K34 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET EMT6(6) (5) (4)Features1) High speed switing.(1) (2) (3)2) Small package(EMT6).3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : K34 ApplicationSwitching Inner circuit(6) (5) (4) Packaging specifications1Package TapingTypeCode T2R 2
9.2. Size:147K rohm
em6k33.pdf 1.2V Drive Nch + Nch MOSFET EM6K33 Structure Dimensions (Unit : mm)ilicon N-channel MOSFET Features 1) High speed switing. 2) Small package(EMT6). 3) Ultra low voltage drive(1.2V drive). Application Switching Abbreviated symbol : K33Packaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)TypeCode T2R1Basic order
Другие MOSFET... WPB4002
, FDM15-06KC5
, FQD2N60CTM
, FDM47-06KC5
, FDPF045N10A
, FMD15-06KC5
, FDMS8672S
, FMD21-05QC
, IRFP250N
, FDMS86368F085
, FMD47-06KC5
, FDBL86361F085
, FMK75-01F
, FMM110-015X2F
, FMM150-0075X2F
, FMM22-05PF
, FMM22-06PF
.