SDF034JAB-D Todos los transistores

 

SDF034JAB-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDF034JAB-D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254
     - Selección de transistores por parámetros

 

SDF034JAB-D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:151K  solitron
 sdf034.pdf pdf_icon

SDF034JAB-D

 9.1. Size:189K  samhop
 sdf03n80 sdp03n80.pdf pdf_icon

SDF034JAB-D

SDP03N80SDF03N80aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.800V 3.0A 3.3 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M

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History: IPDH4N03LAG | SJMN380R70F | DMG9926USD | STL19N65M5 | MSU7N60F | SFW9644

 

 
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