SDF034JAB-D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF034JAB-D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF034JAB-D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF034JAB-D даташит

 8.1. Size:151K  solitron
 sdf034.pdf pdf_icon

SDF034JAB-D

 9.1. Size:189K  samhop
 sdf03n80 sdp03n80.pdf pdf_icon

SDF034JAB-D

SDP03N80 SDF03N80 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 800V 3.0A 3.3 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G G D S G D S SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package M

Другие IGBT... RFT2P03L, RFT3055LE, RFW2N06RLE, RLP1N06CLE, SD10425JAA, SDF034JAA-D, SDF034JAA-S, SDF034JAA-U, AOD4184A, SDF034JAB-S, SDF034JAB-U, SDF044JAA-D, SDF044JAA-S, SDF044JAA-U, SDF044JAB-D, SDF044JAB-S, SDF044JAB-U