F10V50VX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: F10V50VX2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 30 nC
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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F10V50VX2 Datasheet (PDF)

..1. Size:240K shindengen
f10v50vx2.pdf

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2186Case : E-packCase : TO-220(Unit : mm)(F10V50VX2)500V 10AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast.APPLICATION Switching power supply of AC 100V input Hig

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Liste

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