F11F80C3M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F11F80C3M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de F11F80C3M MOSFET
F11F80C3M Datasheet (PDF)
f11f80c3m.pdf
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Otros transistores... ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , IRF1407 , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 .
History: AON7702 | AP4800GM | SMP3003-DL-1E | S10H07M | SSF5NS70F | BSZ058N03MSG | IRLU3802PBF
History: AON7702 | AP4800GM | SMP3003-DL-1E | S10H07M | SSF5NS70F | BSZ058N03MSG | IRLU3802PBF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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