Справочник MOSFET. F11F80C3M

 

F11F80C3M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F11F80C3M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для F11F80C3M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F11F80C3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  shindengen
 f11f80c3m.pdf pdf_icon

F11F80C3M

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20akgF O-2AF 1 8C M1F 0 3 8 0 10 V1A 000011F80C3M F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgs

Другие MOSFET... ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , AON7506 , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 .

History: 2N06L11K | P0660EI | AK5N60S | HUFA76409P3 | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.