F11F80C3M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: F11F80C3M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 54 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 740 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
F11F80C3M Datasheet (PDF)
..1. Size:154K shindengen
f11f80c3m.pdf
f11f80c3m.pdf
P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20akgF O-2AF 1 8C M1F 0 3 8 0 10 V1A 000011F80C3M F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgs
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
