F12W50VX2 Todos los transistores

 

F12W50VX2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F12W50VX2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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F12W50VX2 datasheet

 ..1. Size:272K  shindengen
 2sk2192 f12w50vx2.pdf pdf_icon

F12W50VX2

SHINDENGEN VX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2192 Case E-pack Case MTO-3P (Unit mm) (F12W50VX2) 500V 12A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. APPLICATION Switching power supply of AC 100V input High vol

Otros transistores... F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , CS150N03A8 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM .

 

 

 

 

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