F12W50VX2 - описание и поиск аналогов

 

F12W50VX2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F12W50VX2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для F12W50VX2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F12W50VX2 даташит

 ..1. Size:272K  shindengen
 2sk2192 f12w50vx2.pdf pdf_icon

F12W50VX2

SHINDENGEN VX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2192 Case E-pack Case MTO-3P (Unit mm) (F12W50VX2) 500V 12A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. APPLICATION Switching power supply of AC 100V input High vol

Другие MOSFET... F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , CS150N03A8 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM .

History: MDIS1501TH | BUK7Y98-80E | PSMN3R9-60PS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.