F15F60C3M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F15F60C3M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de F15F60C3M MOSFET
F15F60C3M Datasheet (PDF)
f15f60c3m.pdf
P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20akgF O-2AF 5 6C M1F 0 3 6 0 50 V1A 000015F60C3M F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgs
Otros transistores... F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , NCEP15T14 , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 .
History: ME9435-G | YJP150N06AQ | R6002END | JCS10N60CT | ME66N04T | FQD19N10L | MSK30P02DF
History: ME9435-G | YJP150N06AQ | R6002END | JCS10N60CT | ME66N04T | FQD19N10L | MSK30P02DF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945

