Справочник MOSFET. F15F60C3M

 

F15F60C3M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: F15F60C3M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для F15F60C3M

 

 

F15F60C3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  shindengen
f15f60c3m.pdf

F15F60C3M
F15F60C3M

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20akgF O-2AF 5 6C M1F 0 3 6 0 50 V1A 000015F60C3M F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgs

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RQ1A060ZPTR | 12N50A

 

 
Back to Top