Справочник MOSFET. F15F60C3M

 

F15F60C3M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F15F60C3M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для F15F60C3M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F15F60C3M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  shindengen
 f15f60c3m.pdf pdf_icon

F15F60C3M

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae T 20akgF O-2AF 5 6C M1F 0 3 6 0 50 V1A 000015F60C3M F aueetrL wRoONFsS tat wihncig Ioae akgs

Другие MOSFET... F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , IRFP450 , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 .

History: DMN63D8L | TPCA8A09-H | UTD351 | DMG3413L | TF68N80 | STL9N60M2 | IPB083N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.