F15W50VX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F15W50VX2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de F15W50VX2 MOSFET
F15W50VX2 Datasheet (PDF)
2sk2194 f15w50vx2.pdf
SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2194Case : E-packCase : MTO-3P(Unit : mm)(F15W50VX2)500V 15AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.APPLICATIONSwitching power supply of AC 100V inputHigh vol
Otros transistores... F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , AON7506 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 , F25F60CPM .
History: ME60P06T-G | F12W50VX2 | JCS10N65BT | MESS84 | ME8205E-G | LNF12N65 | ME7114S-G
History: ME60P06T-G | F12W50VX2 | JCS10N65BT | MESS84 | ME8205E-G | LNF12N65 | ME7114S-G
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
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