Справочник MOSFET. F15W50VX2

 

F15W50VX2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F15W50VX2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

F15W50VX2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  shindengen
 2sk2194 f15w50vx2.pdf pdf_icon

F15W50VX2

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2194Case : E-packCase : MTO-3P(Unit : mm)(F15W50VX2)500V 15AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.APPLICATIONSwitching power supply of AC 100V inputHigh vol

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BR12N60 | IRFP460N | 2SK417 | CS6N100F | RJK03E9DPA | TPC65R260M | BRCS100N06BD

 

 
Back to Top

 


 
.