F20W50VX2 Todos los transistores

 

F20W50VX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F20W50VX2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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F20W50VX2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  shindengen
 f20w50vx2.pdf pdf_icon

F20W50VX2

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2196Case : MTO-3P(Unit : mm)(F20W50VX2)500V 20AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.APPLICATIONSwitching power supply of AC 100V inputHigh voltage power supplyInverterR

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History: ZXMP3A16N8TA | PMV56XN | UF830L-TQ2-R | TDM31050 | 2SK2159 | ME4920 | RQK0302GGDQS

 

 
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