Справочник MOSFET. F20W50VX2

 

F20W50VX2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F20W50VX2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для F20W50VX2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F20W50VX2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  shindengen
 f20w50vx2.pdf pdf_icon

F20W50VX2

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2196Case : MTO-3P(Unit : mm)(F20W50VX2)500V 20AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.APPLICATIONSwitching power supply of AC 100V inputHigh voltage power supplyInverterR

Другие MOSFET... F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , P60NF06 , F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 , F25F60CPM , F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 .

History: PK5G6EA | FDS6680S | STN4260 | HMS60N10D | ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1

 

 
Back to Top

 


 
.