F21F60CPM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F21F60CPM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de F21F60CPM MOSFET
F21F60CPM Datasheet (PDF)
f21f60cpm.pdf

P we MOS Eo r F T OUT IELNUntimmP cae T 20 pnakgF O-2A i3F 1 6C M2F 0 P 60 10 V2A 0000 21F60CPMF aueetr Hg otgihV lae L wRoON
Otros transistores... F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , 10N65 , F24W60C3 , F25F60CPM , F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 .
History: ME7890ED-G | D10PF06 | RD70HVF1 | FTP02N04NA | MXP43P9AT | F20F60C3M | NCE65TF041T
History: ME7890ED-G | D10PF06 | RD70HVF1 | FTP02N04NA | MXP43P9AT | F20F60C3M | NCE65TF041T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c