Справочник MOSFET. F21F60CPM

 

F21F60CPM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F21F60CPM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для F21F60CPM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F21F60CPM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  shindengen
 f21f60cpm.pdf pdf_icon

F21F60CPM

P we MOS Eo r F T OUT IELNUntimmP cae T 20 pnakgF O-2A i3F 1 6C M2F 0 P 60 10 V2A 0000 21F60CPMF aueetr Hg otgihV lae L wRoON

Другие MOSFET... F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , 10N65 , F24W60C3 , F25F60CPM , F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 .

History: ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1 | STN4260 | HMS60N10D | PK5G6EA | FDS6680S

 

 
Back to Top

 


 
.