F24W60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F24W60C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: MTO-3P
Búsqueda de reemplazo de F24W60C3 MOSFET
F24W60C3 Datasheet (PDF)
f24w60c3.pdf

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Otros transistores... F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , STF13NM60N , F25F60CPM , F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 .
History: AP9971GM-HF | TPD50R400C | MDP14N25CTH | SI4948BEY | IPP260N06N3G | MDIS2N60TH
History: AP9971GM-HF | TPD50R400C | MDP14N25CTH | SI4948BEY | IPP260N06N3G | MDIS2N60TH



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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