Справочник MOSFET. F24W60C3

 

F24W60C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F24W60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: MTO-3P
 

 Аналог (замена) для F24W60C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F24W60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  shindengen
f24w60c3.pdfpdf_icon

F24W60C3

P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae O-PakgMT 3F 4 0 32W6C 6 0 40 V2A 0000 24W60C3F aueetrL wRoONFsS tat wihncig

Другие MOSFET... F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , F20F60C3M , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , STF13NM60N , F25F60CPM , F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 .

History: OSG65R074FT3ZF | CEB20P06 | STD9N40M2 | 6N70F | CES2342 | IPB14N03LA | 25N06G

 

 
Back to Top

 


 
.