F35W60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F35W60C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.9 V
Carga de la puerta (Qg): 155 nC
Tiempo de subida (tr): 96 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET F35W60C3
F35W60C3 Datasheet (PDF)
..1. Size:155K shindengen
f35w60c3.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
f35w60c3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae O-PakgMT 3F 5 0 33W6C 6 0 50 V3A 0000 35W60C3F aueetrL wRoONFsS tat wihncig
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .