F35W60C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: F35W60C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 155 nC
Время нарастания (tr): 96 ns
Выходная емкость (Cd): 1500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO-3P
F35W60C3 Datasheet (PDF)
..1. Size:155K shindengen
f35w60c3.pdf
f35w60c3.pdf
P we MOS Eo r F T O T IEU LNUntmmiP cae O-PakgMT 3F 5 0 33W6C 6 0 50 V3A 0000 35W60C3F aueetrL wRoONFsS tat wihncig
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
