F39W60CP Todos los transistores

 

F39W60CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F39W60CP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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F39W60CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  shindengen
 f39w60cp.pdf pdf_icon

F39W60CP

Title:diode-A.ec9 Page:32 Date: 2011/02/17 Thu 14:01:38P we MOS Eo r F T OUT IELNUntmmiP cae O-PakgMT 3F 9 0 P3W6C 60 90 V3A 0000 39W60CPF aueetr Hg otg

Otros transistores... F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 , F25F60CPM , F31W60CP , F35W60C3 , 13N50 , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 , F4F60VX2 , F5018-S , F5020-S .

History: S80N10RN | IXTH12N120

 

 
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