F39W60CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F39W60CP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de F39W60CP MOSFET
F39W60CP Datasheet (PDF)
f39w60cp.pdf

Title:diode-A.ec9 Page:32 Date: 2011/02/17 Thu 14:01:38P we MOS Eo r F T OUT IELNUntmmiP cae O-PakgMT 3F 9 0 P3W6C 60 90 V3A 0000 39W60CPF aueetr Hg otg
Otros transistores... F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 , F25F60CPM , F31W60CP , F35W60C3 , 10N65 , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 , F4F60VX2 , F5018-S , F5020-S .
History: SSF5N60F | BSZ180P03NS3G | SUM90N10-8M2P | 3SK135A | MDIS1903TH | 2SK4112 | F5020
History: SSF5N60F | BSZ180P03NS3G | SUM90N10-8M2P | 3SK135A | MDIS1903TH | 2SK4112 | F5020



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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