Справочник MOSFET. F39W60CP

 

F39W60CP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F39W60CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для F39W60CP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F39W60CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  shindengen
 f39w60cp.pdf pdf_icon

F39W60CP

Title:diode-A.ec9 Page:32 Date: 2011/02/17 Thu 14:01:38P we MOS Eo r F T OUT IELNUntmmiP cae O-PakgMT 3F 9 0 P3W6C 60 90 V3A 0000 39W60CPF aueetr Hg otg

Другие MOSFET... F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 , F25F60CPM , F31W60CP , F35W60C3 , 13N50 , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 , F4F60VX2 , F5018-S , F5020-S .

History: MTP5P25 | F4F60VX2 | RQ7E055AT | FIR6N40FG | BUK7Y53-100B | MCP20N70 | PMPB23XNEA

 

 
Back to Top

 


 
.