Справочник MOSFET. F39W60CP

 

F39W60CP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F39W60CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

F39W60CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  shindengen
f39w60cp.pdfpdf_icon

F39W60CP

Title:diode-A.ec9 Page:32 Date: 2011/02/17 Thu 14:01:38P we MOS Eo r F T OUT IELNUntmmiP cae O-PakgMT 3F 9 0 P3W6C 60 90 V3A 0000 39W60CPF aueetr Hg otg

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFB38N20D | SSF2300B | BUK9535-55A | ELM53400CA | BUK9M120-100E | 2N6661DCSM | 2SK2020-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.