F3S90HVX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3S90HVX2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm
Paquete / Cubierta: STO-220
Búsqueda de reemplazo de F3S90HVX2 MOSFET
F3S90HVX2 Datasheet (PDF)
2sk2665 f3s90hvx2.pdf

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2665Case : STO-220(Unit : mm)( F3S90HVX2 )900V 3AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed.APPLICATION Switching power supply
Otros transistores... F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 , F25F60CPM , F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , 2N60 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 , F4F60VX2 , F5018-S , F5020-S , F5041 , F5042 .
History: SM3054NSU | PUM6K31N | SM3323NHQG | MDIS1903TH | TK100F04K3L | FDS86106 | RYE002N05
History: SM3054NSU | PUM6K31N | SM3323NHQG | MDIS1903TH | TK100F04K3L | FDS86106 | RYE002N05



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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