F3S90HVX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3S90HVX2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm
Paquete / Cubierta: STO-220
Búsqueda de reemplazo de F3S90HVX2 MOSFET
F3S90HVX2 Datasheet (PDF)
2sk2665 f3s90hvx2.pdf

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2665Case : STO-220(Unit : mm)( F3S90HVX2 )900V 3AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed.APPLICATION Switching power supply
Otros transistores... F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 , F25F60CPM , F31W60CP , F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , IRFZ46N , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 , F4F60VX2 , F5018-S , F5020-S , F5041 , F5042 .
History: S80N10RN | IXTH12N120
History: S80N10RN | IXTH12N120



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405