F3S90HVX2 Todos los transistores

F3S90HVX2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F3S90HVX2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm

Encapsulados: STO-220

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros