F5018-S Todos los transistores

 

F5018-S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F5018-S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de F5018-S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

F5018-S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:670K  fuji
 f5018-s.pdf pdf_icon

F5018-S

 9.1. Size:40K  fuji
 f5016 f5017 f5018 f5019 f5020 f5021 f5022 f5023 f5028 f5029 f5030 f5031 f5032 f5033 f5038 f5041 f5042 f5043 f5044 f9202 f9203 f9206 f9207 f9208 f9209.pdf pdf_icon

F5018-S

MOSFET / Pwer MOSFETs MOSFET Pwer MOSFET F TI F T VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) Device type Max. Typ. Package Net massVolts Amps. Amps. Ohms () Watts Volts Volts GramsF5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6F5020 40 3

Otros transistores... F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 , F4F60VX2 , IRFB31N20D , F5020-S , F5041 , F5042 , F5042-S , F5043 , F5043-S , F5048 , F5055 .

History: DAMI280N200 | 2SK1792 | HM20N06 | AOWF780A70 | BUK7614-55A | IXFT50N20

 

 
Back to Top

 


 
.