F5018-S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F5018-S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 7 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Encapsulados: TO-252
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F5018-S datasheet
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MOSFET / P wer MOSFETs MOSFET P wer MOSFET F T I F T VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) Device type Max. Typ. Package Net mass Volts Amps. Amps. Ohms ( ) Watts Volts Volts Grams F5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6 F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6 F5020 40 3
Otros transistores... F35W60C3 , F39W60CP , F3F90HVX2 , F3S90HVX2 , F3V50VX2 , F3V90HVX2 , F47W60C3 , F4F60VX2 , IRF2807 , F5020-S , F5041 , F5042 , F5042-S , F5043 , F5043-S , F5048 , F5055 .
History: F5042-S
History: F5042-S
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