F5055 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F5055
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 7 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Encapsulados: SSOP-20
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F5055 datasheet
f5055.pdf
http //www.fujisemi.com F5055 FUJI Intelligent Power MOSFET Intelligent Power MOSFET Features Outline drawings [mm] Connection Two N-ch power MOSFET circuits SSOP-20 Over temperature protection Short circuit protection Low on-resistance High speed switching Applications Solenoid driver Lamp driver Replacements for fuse and relay Maximum ratings and
Otros transistores... F5018-S , F5020-S , F5041 , F5042 , F5042-S , F5043 , F5043-S , F5048 , IRFB31N20D , F55NF06 , F5F50VX2 , F5F90HVX2 , F5S90HVX2 , F5V50 , F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP .
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Liste
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