Справочник MOSFET. F5055

 

F5055 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F5055
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SSOP-20
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

F5055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  fuji
 f5055.pdf pdf_icon

F5055

http://www.fujisemi.comF5055 FUJI Intelligent Power MOSFETIntelligent Power MOSFETFeatures Outline drawings [mm] Connection Two N-ch power MOSFET circuitsSSOP-20 Over temperature protection Short circuit protection Low on-resistance High speed switchingApplications Solenoid driver Lamp driver Replacements for fuse and relayMaximum ratings and

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.