FA57SA50LCP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FA57SA50LCP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 625 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 57 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 225 nC
Tiempo de subida (tr): 152 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-227
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FA57SA50LCP
FA57SA50LCP Datasheet (PDF)
fa57sa50lcp.pdf
FA57SA50LCPwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 57 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge deviceSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance Designed for industrial level UL approve
fa57sa50lc.pdf
PD - 91650AFA57SA50LCHEXFET Power MOSFET Fully Isolated PackageD Easy to Use and ParallelVDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.08 Fully Avalanche RatedG Simple Drive RequirementsID = 57A Low Gate Charge DeviceS Low Drain to Case Capacitance Low Internal InductanceDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier
fa57sa50.pdf
FA57SA50LCPVishay SemiconductorsPower MOSFET, 57 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge deviceSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/EC D
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Liste
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