FA57SA50LCP Todos los transistores

 

FA57SA50LCP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FA57SA50LCP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 152 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOT-227

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FA57SA50LCP datasheet

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FA57SA50LCP

FA57SA50LCP www.vishay.com Vishay Semiconductors Power MOSFET, 57 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge device SOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance Designed for industrial level UL approve

 4.1. Size:131K  international rectifier
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FA57SA50LCP

PD - 91650A FA57SA50LC HEXFET Power MOSFET Fully Isolated Package D Easy to Use and Parallel VDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.08 Fully Avalanche Rated G Simple Drive Requirements ID = 57A Low Gate Charge Device S Low Drain to Case Capacitance Low Internal Inductance Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier

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FA57SA50LCP

FA57SA50LCP Vishay Semiconductors Power MOSFET, 57 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge device SOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/EC D

Otros transistores... F5V50 , F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP , F6F70HVX2 , F7F60C3M , F7W90HVX2 , FA38SA50LCP , RU7088R , FC40SA50FKP , FC4A22050L , FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , FC551601 .

 

 

 

 

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