FC40SA50FKP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FC40SA50FKP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 430 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: SOT-227
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FC40SA50FKP datasheet
fc40sa50fkp.pdf
FC40SA50FKP "FC40SA50FKP" Vishay Semiconductors Power MOSFET, 40 A FEATURES Low gate charge Qg results in simple drive requirement Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current SOT-227 Low RDS(on) Fully insulated package UL pending Compliant to RoHS directive 2002/9
fc40sa50.pdf
FC40SA50FKP Vishay Semiconductors Power MOSFET, 40 A FEATURES Low gate charge Qg results in simple drive requirement Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current SOT-227 Low RDS(on) Fully insulated package UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/EC PRODUCT SUMMARY VDSS 5
Otros transistores... F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP , F6F70HVX2 , F7F60C3M , F7W90HVX2 , FA38SA50LCP , FA57SA50LCP , MMIS60R580P , FC4A22050L , FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , FC551601 , FC591301 .
History: IRFS7730-7PPBF
History: IRFS7730-7PPBF
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Liste
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