FC40SA50FKP Todos los transistores

 

FC40SA50FKP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FC40SA50FKP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 430 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227
 

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FC40SA50FKP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  vishay
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FC40SA50FKP

FC40SA50FKP"FC40SA50FKP" Vishay SemiconductorsPower MOSFET, 40 AFEATURES Low gate charge Qg results in simple driverequirement Improved gate, avalanche and dynamic dV/dtruggedness Fully characterized capacitance and avalanche voltageand currentSOT-227 Low RDS(on) Fully insulated package UL pending Compliant to RoHS directive 2002/9

 6.1. Size:189K  vishay
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FC40SA50FKP

FC40SA50FKPVishay SemiconductorsPower MOSFET, 40 AFEATURES Low gate charge Qg results in simple driverequirement Improved gate, avalanche and dynamic dV/dtruggedness Fully characterized capacitance and avalanche voltageand currentSOT-227 Low RDS(on) Fully insulated package UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/ECPRODUCT SUMMARYVDSS 5

Otros transistores... F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP , F6F70HVX2 , F7F60C3M , F7W90HVX2 , FA38SA50LCP , FA57SA50LCP , 2N7002 , FC4A22050L , FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , FC551601 , FC591301 .

History: RJK1206JPD

 

 
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