FC40SA50FKP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FC40SA50FKP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 430 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT-227
Аналог (замена) для FC40SA50FKP
FC40SA50FKP Datasheet (PDF)
fc40sa50fkp.pdf
FC40SA50FKP"FC40SA50FKP" Vishay SemiconductorsPower MOSFET, 40 AFEATURES Low gate charge Qg results in simple driverequirement Improved gate, avalanche and dynamic dV/dtruggedness Fully characterized capacitance and avalanche voltageand currentSOT-227 Low RDS(on) Fully insulated package UL pending Compliant to RoHS directive 2002/9
fc40sa50.pdf
FC40SA50FKPVishay SemiconductorsPower MOSFET, 40 AFEATURES Low gate charge Qg results in simple driverequirement Improved gate, avalanche and dynamic dV/dtruggedness Fully characterized capacitance and avalanche voltageand currentSOT-227 Low RDS(on) Fully insulated package UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/ECPRODUCT SUMMARYVDSS 5
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: BL30N30-A
History: BL30N30-A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918