FC40SA50FKP - аналоги и даташиты транзистора

 

FC40SA50FKP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FC40SA50FKP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 430 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
 

 Аналог (замена) для FC40SA50FKP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FC40SA50FKP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  vishay
 fc40sa50fkp.pdf pdf_icon

FC40SA50FKP

FC40SA50FKP"FC40SA50FKP" Vishay SemiconductorsPower MOSFET, 40 AFEATURES Low gate charge Qg results in simple driverequirement Improved gate, avalanche and dynamic dV/dtruggedness Fully characterized capacitance and avalanche voltageand currentSOT-227 Low RDS(on) Fully insulated package UL pending Compliant to RoHS directive 2002/9

 6.1. Size:189K  vishay
 fc40sa50.pdf pdf_icon

FC40SA50FKP

FC40SA50FKPVishay SemiconductorsPower MOSFET, 40 AFEATURES Low gate charge Qg results in simple driverequirement Improved gate, avalanche and dynamic dV/dtruggedness Fully characterized capacitance and avalanche voltageand currentSOT-227 Low RDS(on) Fully insulated package UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/ECPRODUCT SUMMARYVDSS 5

Другие MOSFET... F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP , F6F70HVX2 , F7F60C3M , F7W90HVX2 , FA38SA50LCP , FA57SA50LCP , MMIS60R580P , FC4A22050L , FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , FC551601 , FC591301 .

History: GP3401 | NCE1227SP | IAUS300N08S5N014 | IPP041N04N | BSN20BK | IGO60R070D1 | IPD60R3K4CE

 

 
Back to Top

 


 
.