FC40SA50FKP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FC40SA50FKP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 430 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT-227
Аналог (замена) для FC40SA50FKP
FC40SA50FKP Datasheet (PDF)
fc40sa50fkp.pdf

FC40SA50FKP"FC40SA50FKP" Vishay SemiconductorsPower MOSFET, 40 AFEATURES Low gate charge Qg results in simple driverequirement Improved gate, avalanche and dynamic dV/dtruggedness Fully characterized capacitance and avalanche voltageand currentSOT-227 Low RDS(on) Fully insulated package UL pending Compliant to RoHS directive 2002/9
fc40sa50.pdf

FC40SA50FKPVishay SemiconductorsPower MOSFET, 40 AFEATURES Low gate charge Qg results in simple driverequirement Improved gate, avalanche and dynamic dV/dtruggedness Fully characterized capacitance and avalanche voltageand currentSOT-227 Low RDS(on) Fully insulated package UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/ECPRODUCT SUMMARYVDSS 5
Другие MOSFET... F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP , F6F70HVX2 , F7F60C3M , F7W90HVX2 , FA38SA50LCP , FA57SA50LCP , 2N7002 , FC4A22050L , FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , FC551601 , FC591301 .
History: P9006EI | DH029N08D | NTMFS020N06C | FDFC2P100
History: P9006EI | DH029N08D | NTMFS020N06C | FDFC2P100



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06