FC4B22070L Todos los transistores

 

FC4B22070L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FC4B22070L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1500 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: MLGA004
 

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FC4B22070L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  panasonic
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FC4B22070L

Doc No. TT4-EA-14580Revision. 2Product StandardsMOS FETFC4B22070LFC4B22070LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits1.674 3 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 17.5 m VGS = 4.5 V)1 2 CSP package:smallest & thinnest size RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.

 8.1. Size:3138K  panasonic
 fc4b22180l.pdf pdf_icon

FC4B22070L

Doc No. TT4-EA-14949Revision. 1Product StandardsMOS FETFC4B22180LFC4B22180LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits1.744 3 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 9.4 mVGS = 4.5 V)1 2 CSPChip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.3 Marking S

 9.1. Size:466K  panasonic
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FC4B22070L

Doc No. TT4-EA-14176Revision. 2Product StandardsMOS FETFC4B21080LFC4B21080LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETPackage dimension Unit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuits1.114 3 Features1 2 Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 27 m VGS = 4.5 V) CSP package:smallest & thinnest size RoHS compliant (EU Ro

 9.2. Size:2560K  panasonic
 fc4b21320l.pdf pdf_icon

FC4B22070L

Doc No. TT4-EA-15001Revision. 1Product StandardsMOS FETFC4B21320LFC4B21320LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits0.84 3 Features Source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 36 mVGS = 4.5 V)1 2 CSP(Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant) 0.2 Mark

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History: AON7810 | SLF7N80C | APT24M80B | DH1K1N10 | HM25N06Q | SIB433EDK | PTP10N40B

 

 
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