FC4B22070L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FC4B22070L
Маркировка: 14
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
trⓘ - Время нарастания: 1500 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: MLGA004
FC4B22070L Datasheet (PDF)
fc4b22070l.pdf

Doc No. TT4-EA-14580Revision. 2Product StandardsMOS FETFC4B22070LFC4B22070LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits1.674 3 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 17.5 m VGS = 4.5 V)1 2 CSP package:smallest & thinnest size RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.
fc4b22180l.pdf

Doc No. TT4-EA-14949Revision. 1Product StandardsMOS FETFC4B22180LFC4B22180LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits1.744 3 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 9.4 mVGS = 4.5 V)1 2 CSPChip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.3 Marking S
fc4b21080l.pdf

Doc No. TT4-EA-14176Revision. 2Product StandardsMOS FETFC4B21080LFC4B21080LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETPackage dimension Unit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuits1.114 3 Features1 2 Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 27 m VGS = 4.5 V) CSP package:smallest & thinnest size RoHS compliant (EU Ro
fc4b21320l.pdf

Doc No. TT4-EA-15001Revision. 1Product StandardsMOS FETFC4B21320LFC4B21320LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits0.84 3 Features Source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 36 mVGS = 4.5 V)1 2 CSP(Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant) 0.2 Mark
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: ATP108 | 4N65L-TF1-T | AP3N2R2MT | NTD4810N-1G | BRCS120N10SZC | SSP5N90A | MSK4N80T
History: ATP108 | 4N65L-TF1-T | AP3N2R2MT | NTD4810N-1G | BRCS120N10SZC | SSP5N90A | MSK4N80T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240