FC654601 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FC654601
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
Encapsulados: SMINI6-F3-B
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FC654601 datasheet
fc654601.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FC654601 Silicon N-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FC654601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Code surface mounting package. SMini6-F3-B Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.0
Otros transistores... FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L , FC551601 , FC591301 , FC591601 , IRF840 , FC694301 , FC694308 , FC694309 , FC694601 , FC6A21060L , FC6B21100L , FC6B21150L , FC6B22090L .
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