FC654601 Todos los transistores

 

FC654601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FC654601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMINI6-F3-B
 

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FC654601 Datasheet (PDF)

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FC654601

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC654601Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFC654601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. SMini6-F3-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.0

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History: HY4504W | IRF3711ZCLPBF | ME7640-G | QH8MA4 | OSG60R260DF | NCE30H15BG

 

 
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