FC654601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FC654601
Código: V6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VCossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
Paquete / Cubierta: SMINI6-F3-B
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FC654601 Datasheet (PDF)
fc654601.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC654601Silicon N-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFC654601 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. SMini6-F3-BPackage dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 6 W (VGS = 4.0
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