FC6A21060L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FC6A21060L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19000 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: MBGA006
Búsqueda de reemplazo de FC6A21060L MOSFET
FC6A21060L Datasheet (PDF)
fc6a21060l.pdf

FC6A21060LFC6A21060LGate Resistor installed Dual N-Channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuit Features Low Source-source On-state Resistance:RSS(on)typ. = 8.7 mVGS = 4.5 V) CSP package:smallest & thinnest size Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant) Marking Symbol:31 Packaging 1. Source (FET1)
Otros transistores... FC551601 , FC591301 , FC591601 , FC654601 , FC694301 , FC694308 , FC694309 , FC694601 , IRF640 , FC6B21100L , FC6B21150L , FC6B22090L , FC6B22100L , FC6B22160L , FC6B22220L , FC8J3304 , FC8V2204 .
History: IRFS440 | BUK9E04-30B | HGB035N08A | OSG65R2KFSF | ASDM30P11TD-R | 6N65D | HY3215P
History: IRFS440 | BUK9E04-30B | HGB035N08A | OSG65R2KFSF | ASDM30P11TD-R | 6N65D | HY3215P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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