FC6A21060L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FC6A21060L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 19000 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: MBGA006
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FC6A21060L Datasheet (PDF)
fc6a21060l.pdf

FC6A21060LFC6A21060LGate Resistor installed Dual N-Channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuit Features Low Source-source On-state Resistance:RSS(on)typ. = 8.7 mVGS = 4.5 V) CSP package:smallest & thinnest size Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant) Marking Symbol:31 Packaging 1. Source (FET1)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SVSP14N65KD2 | VBE1158N | AP18N20GI | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV
History: SVSP14N65KD2 | VBE1158N | AP18N20GI | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554