FC8J3304 Todos los transistores

 

FC8J3304 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FC8J3304
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 33 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: WMINI8-F1
 

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FC8J3304 Datasheet (PDF)

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FC8J3304

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC8J3304Silicon N-channel MOS FETFor DC-DC converter circuits Overview PackageFC8J3304 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. WMini8-F1Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 32 mW (VGS

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