FC8J3304 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FC8J3304
Código: 7A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 33 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 2.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: WMINI8-F1
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FC8J3304
FC8J3304 Datasheet (PDF)
fc8j3304.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC8J3304Silicon N-channel MOS FETFor DC-DC converter circuits Overview PackageFC8J3304 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. WMini8-F1Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 32 mW (VGS
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History: IRC5405
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