Справочник MOSFET. FC8J3304

 

FC8J3304 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FC8J3304
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 33 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: WMINI8-F1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FC8J3304 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  panasonic
 fc8j3304.pdf pdf_icon

FC8J3304

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC8J3304Silicon N-channel MOS FETFor DC-DC converter circuits Overview PackageFC8J3304 is N-channel dual type small signal MOS FET employed small size Codesurface mounting package. WMini8-F1Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 32 mW (VGS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KQB3N30 | JFPC10N60CI | PM506BA | BL7N65B-U | AP30T10GM-HF | R6576KNZ1 | AP92T03GP

 

 
Back to Top

 


 
.