FC8V22290L Todos los transistores

 

FC8V22290L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FC8V22290L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 650 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
   Paquete / Cubierta: WMINI8-F1
     - Selección de transistores por parámetros

 

FC8V22290L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  panasonic
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FC8V22290L

Doc No. TT4-EA-15019Revision. 2Product StandardsMOS FETFC8V22290LFC8V22290LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm2.9For lithium-ion secondary battery protection circuits0.3 0.168 7 6 5 Features Source-source ON Resistance:Rss(on) typ. = 11.5 mVGS = 4.5 V) Built-in gate resistor Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 /

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FC8V22290L

Doc No. TT4-EA-15018Revision. 2Product StandardsMOS FETFC8V22280LFC8V22280LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm2.9For lithium-ion secondary battery protection circuits0.3 0.168 7 6 5 Features Source-source ON Resistance:Rss(on) typ. = 9.8 mVGS = 4.5 V) Built-in gate resistor Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 / M

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FC8V22290L

Doc No. TT4-EA-15020Revision. 2Product StandardsMOS FETFC8V22300LFC8V22300LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm2.9For lithium-ion secondary battery protection circuits0.3 0.168 7 6 5 Features Source-source ON Resistance:Rss(on) typ. = 15 mWVGS = 4.5 V) Built-in gate resistor Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:

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FC8V22290L

Doc No. TT4-EA-14490Revision. 3Product StandardsMOS FETFC8V22090LFC8V22090LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm2.9For lithium-ion secondary battery protection circuits0.3 0.168 7 6 5 Features Low drain-source ON resistance:Rds(on) typ. = 9.5 m VGS = 4.5 V) Built-in gate resistor Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level

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History: PHW8N50E | AMA920N | LSF60R180HT | GSM3436 | AO3423B | NX3008PBKS | TPC8026

 

 
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