FC8V36060L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FC8V36060L
Código: M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: WMINI8-F1
FC8V36060L Datasheet (PDF)
fc8v36060l.pdf

Doc No. TT4-EA-14952Revision. 1Product StandardsMOS FETFC8V36060LFC8V36060LSingle N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits2.9For load switching0.3 0.168 7 6 5 Features Low drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 70 mVGS = 4.5 V) Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)1 2 3 4(
fc8v36120l.pdf

Doc No. TT4-EA-14980Revision. 1Product StandardsMOS FETFC8V36120LFC8V36120LDual N-channel MOS FET Package dimensionUnit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuitsFor load switching 2.90.3 0.168 7 6 5 Features Low drain-source ON resistance:RDS(on) typ. = 50 m (VGS = 4.5 V) Low drive voltage: 2.5 V drive RoHS compliant (EU RoHS / UL-94
fc8v3303.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FC8V3303Silicon N-channel MOS FETFor DC-DC converter circuits Overview Package CodeFC8V3303 is the N-channel dual type MOSFET which is the most suitable for DC-DC converter circuits. WMini8-F1Package dimension clicks here. Click! Features N-channel dual type Pin Name Low drain-source
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
History: WSD4098DN56 | SWI8N65DB | STW70N60DM2 | SFW9530 | ME2604 | IRF5NJ540 | PHD10N10E
History: WSD4098DN56 | SWI8N65DB | STW70N60DM2 | SFW9530 | ME2604 | IRF5NJ540 | PHD10N10E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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