FJ330301 Todos los transistores

 

FJ330301 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJ330301

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm

Encapsulados: SSSMINI3-F2-B

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FJ330301 datasheet

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FJ330301

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FJ330301 Silicon P-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FJ330301 is P-channel small signal MOS FET employed small size surface Code mounting package. SSSMini3-F2-B Pin Name Features 1 Gate Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 4 W (VGS = -4.0 V) 2 Source H

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FJ330301

Doc No. TT4-EA-12653 Revision. 3 Product Standards MOS FET FJ3303010L FJ3303010L Silicon P-channel MOSFET Unit mm For switching 1.2 FJ350301 in SSSMini3 type package 0.3 0.13 3 Features Low drive voltage 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 12 Marking Symbol U1 0.2 0.52 (0.4)(0.4) Packaging 0.8

Otros transistores... FC8V36120L, FG654301, FG694301, FG6K4206, FIR18N20G, FIR210N06G, FIR75N06G, FIR75N075G, IRF9540N, FJ3303010L, FJ350301, FJ4B0110, FJ4B0111, FJ4B0112, FJ4B0124, FJ6K0101, FJ6K01010L

 

 

 

 

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