FJ330301. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FJ330301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
Тип корпуса: SSSMINI3-F2-B
Аналог (замена) для FJ330301
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FJ330301 даташит
fj330301.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). FJ330301 Silicon P-channel MOS FET For switching circuits Overview Package FJ330301 is P-channel small signal MOS FET employed small size surface Code mounting package. SSSMini3-F2-B Pin Name Features 1 Gate Low drain-source ON resistance RDS(on) typ. = 4 W (VGS = -4.0 V) 2 Source H
fj3303010l.pdf
Doc No. TT4-EA-12653 Revision. 3 Product Standards MOS FET FJ3303010L FJ3303010L Silicon P-channel MOSFET Unit mm For switching 1.2 FJ350301 in SSSMini3 type package 0.3 0.13 3 Features Low drive voltage 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) 12 Marking Symbol U1 0.2 0.52 (0.4)(0.4) Packaging 0.8
Другие MOSFET... FC8V36120L , FG654301 , FG694301 , FG6K4206 , FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , FIR75N075G , IRF9540N , FJ3303010L , FJ350301 , FJ4B0110 , FJ4B0111 , FJ4B0112 , FJ4B0124 , FJ6K0101 , FJ6K01010L .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent


