FJ3303010L Todos los transistores

 

FJ3303010L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJ3303010L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-723
 

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FJ3303010L Datasheet (PDF)

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FJ3303010L

Doc No. TT4-EA-12653Revision. 3Product StandardsMOS FETFJ3303010LFJ3303010LSilicon P-channel MOSFETUnit : mm For switching1.2FJ350301 in SSSMini3 type package 0.3 0.133 Features Low drive voltage : 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)12 Marking Symbol :U10.2 0.52(0.4)(0.4) Packaging0.8

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FJ3303010L

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FJ330301Silicon P-channel MOS FETFor switching circuits Overview PackageFJ330301 is P-channel small signal MOS FET employed small size surface Codemounting package. SSSMini3-F2-B Pin Name Features 1: Gate Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 4 W (VGS = -4.0 V) 2: Source H

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History: FDB075N15A-F085 | SFP9634 | NCE01P30D

 

 
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